Technologieentwicklung für Halbleitermaterial Galliumoxid gestartet

Das im September 2024 gestarteten EFRE Projekt G.O.A.L. (1.6-14) „Galliumoxid-Applikations Labor für die Leistungselektronik“ komplettiert die am IKZ geschaffene Wertschöpfungskette im Bereich Galliumoxid-Technologieentwicklung. Zu den bereits vorhanden Teilen Cz-Volumenkristallzüchtung und Wafering kommt nun der Baustein Epitaxie in Form einer 3×2“ MOVPE der Firma AIXTRON hinzu. Diese Erweiterung schafft die Voraussetzung, das IKZ in der EU als einzigen Anbieter von 2 Zoll Galliumoxid epi-Wafern zum Technologie-Prototyping für Forschung & Industrie zu etablieren. Das IKZ investierte hierzu in den letzten drei Jahren zirka 5 Mio. € in moderne Anlagen entlang der Wertschöpfungskette.